《重庆研究院在高灵敏石墨烯触觉传感领域取得进展》

  • 来源专题:数控机床与工业机器人
  • 编译者: icad
  • 发布时间:2019-06-17
  • 近日,中国科学院重庆绿色智能技术研究院与新加坡国立大学合作,研制了三维微纳共形石墨烯柔性力敏电极,并应用于高灵敏柔性压容式触觉传感,相关内容以Flexible, Tunable and Ultrasensitive Capacitive Pressure Sensor with Micro-Conformal Graphene Electrodes 为题发表在ACS Applied Materials & Interface 期刊上,并被选为封面论文进行报道(ACS Appl. Mater. Interfaces, 2019, 11 (16), pp 14997–15006. DOI: 10.1021/acsami.9b02049)。   

    柔性触觉传感器为机器人提供感知外部力学环境的能力,是机器人实现智能化的必备条件。石墨烯新材料的发展,为下一代高灵敏柔性触觉技术的发展提供了新的解决路径。重庆研究院微纳中心一直致力于二维/三维石墨烯的可控制备技术及其应用研究,前期发展了三维微纳共形石墨烯直接生长与柔性转移技术(J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 12379~12384),三维共形石墨烯薄膜不仅具有高导电性,而且表现出高力学可靠性,是柔性电极的理想材料。近期,研究人员通过有限元仿真分析发现,微结构化共形石墨烯电极更易获得电容式力学传感器中的极板间距和等效介电常数变化。通过对三维共形石墨烯电极的特征尺寸的可控构筑,课题组实现了高灵敏(7.68kPa-1)、快响应(30ms)、低检测极限(1mgF)、低迟滞的柔性电容式触觉传感器,主要指标已超越了人类触觉感知水平。   

    该触觉传感器可以感知昆虫爬行过程中产生的细微压力变化,记录其步态信息。该传感器也可以实时监测脉搏波分析其脉象,或者通过力反馈辅助机械手实现对物体的智能抓取。与传统触觉传感器相比,该传感器具有灵敏度高、快响应、柔性、轻薄、可分布式贴附等特性,能够更好地与机器人的异形曲面进行贴合,赋予机器人以触觉功能,从而极大拓展机器人的智能化和应用领域。   

    上述工作得到科技部“863”计划、国家自然科学基金、中国科学院青促会会员项目、西部青年学者(A类)、重庆市自然科学基金等支持。   

相关报告
  • 《合肥研究院在透明导电氧化物薄膜研究中取得系列进展》

    • 来源专题:中国科学院亮点监测
    • 编译者:yanyf@mail.las.ac.cn
    • 发布时间:2018-07-30
    •         近期,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所功能材料研究室在透明导电氧化物(transparent conducting oxide, TCO)薄膜研究方面取得系列进展,相关成果相继在Advanced Electronic Materials (Adv. Electron. Mater. 4, 1700476 (2018)),Journal of Materials Chemistry C (J. Mater. Chem. C 5, 1885 (2017)),Chemical Communications (Chem. Commun. 50, 9697 (2014))等杂志上发表。   一般而言,材料的透明特性和导电性互不兼容。自然界中透明的物质(如玻璃)往往不导电,导电的物质(如金属)往往不透明。实现透明性和导电性共存的主要措施是选择宽禁带半导体或绝缘体以确保可见光区的高透明性,再通过元素掺杂来引入载流子以实现导电性。按照该方法可实现具有高可见光区透明性和良好导电性共存的一类非常重要的材料体系即TCO。迄今,TCO薄膜已广泛应用于平板显示、太阳能光伏电池、触摸屏和发光二极管等领域。   TCO材料根据导电载流子的类型分为n型即电子导电型和p型即空穴导电型。在n型TCO方面,近来有相关报道表明,宽带隙钙钛矿BaSnO3基TCO表现出很高的室温载流子迁移率,因而有望取代广泛应用的锡掺杂氧化铟(In2O3:Sn, ITO)成为下一代TCO材料。固体所研究人员基于溶液法制备出了钙钛矿BaSnO3薄膜,经La元素掺杂及薄膜位错密度调控,获得了具有与真空法制备的BaSnO3薄膜相比拟的室温载流子迁移率(~23 cm2/Vs),且可见光透过率超过80%,并提出氧空位是决定该体系载流子迁移率的重要调控因素。相关结果发表于Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett. 106, 101906 (2015))。进一步,科研人员通过在Sn位Sb掺杂提高了薄膜的载流子浓度,实现了薄膜电导率的大幅提升,构建了BaSnO3基薄膜溶液法生长机理与光电性能的关联。相关结果发表于ACS Applied Energy Materials (ACS Appl. Energy Mater. 1, 1585 (2018))。   与n型TCO相比,p型材料的性能和应用远落后于n型材料体系。这源于金属氧化物的电子结构与能带结构:金属氧化物中的金属原子与氧原子以离子键结合,氧的2p能级远低于金属的价带电子能级。由于氧离子具有很强的电负性,对价带顶的空穴具有很强的局域化束缚作用,从而即使在价带顶引入空穴,也将形成深受主能级,导致空穴载流子很难在材料中移动。理论设计已表明在铜铁矿体系中可获得透明和p型导电共存。而Ag基和Cu基铜铁矿相比较而言,具有更宽的光学带隙及更低的光吸收系数。但由于Ag2O易于分解,导致Ag基铜铁矿无法在开放系统中成功制备。固体所研究人员基于溶液法首次在开放系统中成功制备了Ag基p型铜铁矿AgCrO2薄膜。该薄膜表现出(00l)晶面自组装生长特征,且表现出较高的室温电导率及可见光透过率。相关结果发表于Journal of Materials Chemistry C (J. Mater. Chem. C 5, 1885 (2017)),并被选为封面及2017年度热点文章。   此外,研究人员基于电子-电子关联作用可有效调节材料的能带结构和电子结构,设计并制备了两种新型p型TCO薄膜。采用溶液法制备了强关联Bi2Sr2Co2Oy薄膜,该薄膜表现出优良的p型透明导电特征,室温电导率超过222 S/cm,可见光区透过率超过50%。相关结果发表于Chemical Communications (Chem. Commun. 50, 9697 (2014))。采用脉冲激光沉积制备了一种新型p型透明导电氧化物薄膜材料——钙钛矿结构La2/3Sr1/3VO3。在该薄膜材料中实现了导电性和光学透过率的良好平衡,获得了截至目前最高的透明导电优值。相关结果发表于Advanced Electronic Materials (Adv. Electron. Mater. 4, 1700476 (2018)),并被选为卷首插页。
  • 《中国科学院半导体所、北京大学等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2019-04-30
    • 深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域,国际水俣公约的提出,促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫,但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上,AlN与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延层中存在较大的应力与较高的位错密度,严重降低器件性能。与此同时,AlN前驱体在这类衬底上迁移势垒较高,浸润性较差,倾向于三维岛状生长,需要一定的厚度才可以实现融合,增加了时间成本。 最近,中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并提出了等离子体预处理改性石墨烯,促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现,等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮,可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜,其具有低应力、较低的位错密度,深紫外LED器件表现出了良好的器件性能。该成果以Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene 为题发表在《先进材料》上(Adv. Mater.,DOI: 10.1002/adma.201807345)。半导体所研究员李晋闽、魏同波与北京大学刘忠范、研究员高鹏作为论文共同通讯作者,陈召龙与刘志强为论文共同第一作者。 同时,魏同波与刘忠范团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图形衬底外延AlN的生长模型,理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律,石墨烯使NPSS上AlN的合并时间缩短三分之二,同时深紫外LED功率得到明显提高,使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在Appl. Phys. Lett. 114, 091107 (2019)发表后被选为Featured article,并被AIPScilight 以New AlN film growth conditions enhance emission of deep ultraviolet LEDs 为题专门报道,也被半导体领域评论杂志Compound Semiconductor 杂志版(2019年第3期)和Semiconductor Today 同时长篇报道。 此外,针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题,刘志强提出了缺陷共振态p型掺杂新机制,该方法基于能带调控,获得高效受主离化率的同时,维持了较高的空穴迁移率,实现了0.16 Ω.cm的p型氮化镓电导率,为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础。相关成果发表在Semicond. Sci. Technol. 33, 114004 (2018),并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖,该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者Amano的积极评价。 上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。