《全球红外探测器市场的成长》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2017-01-03
  • 根据一份由联合市场研究新的报告,全球红外探测器市场预计在2022年将达到4亿6600万美元。记录一个9.7%的年复合增长率,市场将从美国和亚太地区的主要市场参与者的存在、制造业的快速工业化、更好的安全和监测系统的需求上升、红外探测器在住宅消费电子领域的应用增加、在航空航天和国防部门增加政府的举措等方面获取利益。

    虽然北美洲分部主导市场,亚太区预计将是整个分析期间增长最快的地区。中国拥有最大的红外探测器制造商和消费者市场,随着安全问题的激增,制造业活动和增加支出的新兴市场,如日本和印度,加强市场增长。

    联合市场研究是一个全球性的市场研究公司,提供定制和联合市场研究报告。

相关报告
  • 《硅基单片砷化铟锑化物中红外光电探测器》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-02-24
    • 英国兰卡斯特大学和华威大学在硅片上集成了单片砷化铟锑(InAsSb)中红外(MIR)光电探测器。这些器件采用“II型”结构,砷化铝镓化合物电子阻挡势垒夹在n型InAs / InAsSb超晶格(SLs)之间,形成“nBn”能带结构,提供了一个电子屏障和一个空穴屏障。 研究人员发现,3-5μm波长的MIR光谱范围内,硅光子学和热电冷却检测系统具有成本效益。以大面积焦平面阵列和MIR集成光子电路形式的低成本超紧凑系统将在气体传感、防御和医疗诊断中得到应用。 MIR系列中常用的材料是碲化汞镉(HdCdTe)合金。其装置生产成本高,需要低温冷却以减少暗电流。而nBn结构采用位于窄带隙吸收和接触层之间的宽带隙阻挡层,阻挡多数载流子的流动,而不是少数载流子。小偏压几乎完全落在分隔光生载流子的屏障上,这几乎完全消除了窄间隙材料中的电场,这极大地抑制了与结相关的Shockley-Read-Hall (SRH)暗电流,因此与传统的p-i-n光电二极管相比可有更高的工作温度。 材料生长开始于在4°切割的硅(100)晶片上通过490℃固体源分子束外延(SS-MBE)生长的17单层AlSb成核。成核包括优化的90°界面错配位错阵列,以促进缺陷的横向而非垂直传播。 不匹配的间距约为3.35nm。 经测试发现硅上生长的大量InSb探测器和在GaAs上生长的InAs / GaSb SL情况有所改善。这可归因于改善的GaSb / Si缓冲层的结构质量,以及InAs / InAsSb SL nBn设计提供的降低的缺陷灵敏度。
  • 《单像素黑磷光电探测器近红外成像》

    • 来源专题:纳米科技
    • 编译者:郭文姣
    • 发布时间:2017-12-07
    • 红外成像系统有广泛的军事或民用应用,2D纳米材料已经成为可能比传统的HgCdTe、InGaAs和InSb更好的传感材料。以二维黑磷(BP)薄膜为例,采用低发射噪声和非深冷操作,对红外图像进行了复杂的直接带隙,并对红外图像进行了红外探测。本文介绍了一种用于近红外成像的单像素光电探测器,用于近红外成像的应用。将光电探测器与数字微镜装置相结合,对图像进行编码,然后根据压缩感知算法对图像进行重构。近红外激光点的静止图像(λ= 830海里)高达64×64像素捕获单像素英国石油公司使用这个相机测量2000倍,这是只有一半的像素总数。在此工作中所展示的成像平台绕过了可伸缩的BP材料增长对光电探测器阵列制造的巨大挑战,并显示了利用BP光电探测器在未来高速红外摄像应用中出色性能的效能。 ——文章发布于2017年11月22日