《Imec 在单图案化High NA EUV 光刻技术方面取得新里程碑》

• 来源专题：集成电路与量子信息
• 发布时间：2025-09-24
• 原文来源：https://www.semiconductor-digest.com/imec-achieves-new-milestones-in-single-patterning-high-na-euv-lithography-for-both-damascene-and-direct-metal-etch-metallization-processes/

在 2025 年 SPIE 光掩模技术 + EUV 光刻会议（蒙特雷（加利福尼亚州））上，比利时 imec 展示了单次打印高数值孔径 EUV 光刻技术的两项突破性成就：(1) 间距 20nm 的线结构，尖端到尖端临界尺寸 (CD) 为 13nm，适用于镶嵌金属化；(2) 使用直接金属蚀刻 (DME) 工艺获得的 20nm 间距钌线的电气测试结果。这些成果部分得益于欧盟的 NanoIC 试验线，不仅标志着高数值孔径 EUV 图案化单次打印能力提升的重要里程碑，还强调了 imec-ASML 合作伙伴关系在推动更广泛生态系统方面的关键作用，该生态系统推动高数值孔径 EUV 向大批量生产过渡，解锁 2nm 以下逻辑技术路线图。

继2025年2月在SPIE先进光刻与图案技术大会上展示20纳米间距金属化线结构后，imec如今通过单次曝光高数值孔径EUV光刻工艺，实现了20纳米间距线结构，其点对点（T2T）临界尺寸（CD）达到13纳米。对于13纳米T2T结构，测量结果显示其局部CD均匀性（LCDU）低至3纳米，标志着业界的一个里程碑。该结果采用金属氧化物光刻胶（MOR）获得，并与底层、照明光瞳形状和掩模版选择共同优化。