半导体发光二极管(led)，特别是基于gana的异质结构，在光照明中得到广泛应用。摘要纤锌矿晶体结构的反演对称性和异型界面的晶格失配导致了大极化场，自发极化和压电极化都有贡献，从而导致了明显的量子限制斯塔克效应。如果局部静电场和带线诱导的电荷再分布可以在异质结构中被定量地确定，就有可能减轻这种效应。在此基础上，综述了电子全息技术在半导体发光二极管研究中的应用。在离轴电子全息图的基础上，讨论了基于ganbased的量子阱、其他基于ganbased的量子阱和其他基于ganbased LED材料的异质结构，重点讨论了局部电位滴、极化场和电荷分布。此外，还简要讨论了基于gaas的LED异质结构。在线电子全息术方案强调大面积应变的能力映射在领导异质结构与高空间分辨率和精度,结合定量静电测量和其他先进透射电子显微镜特征提供一个整体纳米尺度的角度领导设备进一步改善他们的电气和光学性质。
——文章发布于2017年12月4日
