《激光刻蚀解决全球水危机的有效方法——科学日报》

  • 来源专题:纳米科技
  • 编译者: 郭文姣
  • 发布时间:2020-07-14
  • 激光刻蚀解决全球水危机的简单方法

    在冠状病毒大流行期间,发达国家的人们可以得到充足的清洁水供应,根据需要经常洗手,以保护自己免受疾病的感染。然而,世界上近三分之一的人口甚至不能保证有干净的饮用水。

    罗彻斯特大学的研究人员已经找到了一种方法来解决这个问题,即利用人人都能获得的阳光,以超过100%的效率蒸发和净化被污染的水。

    这怎么可能呢?

    在《自然可持续性》杂志上发表的一篇论文中,光学教授郭春磊(Chunlei Guo)实验室的研究人员演示了一束飞秒激光脉冲是如何将一块普通铝板的表面蚀刻成一种具有超强吸水性和超强吸能性的材料的。

    当以一个角度对着太阳放置在水中时,表面:

    在金属表面上画一层水薄膜

    保留了它从太阳吸收的几乎100%的能量来快速加热水

    同时,改变了水的分子间键,大大提高了蒸发过程的效率。

    “这三件事结合在一起,使得这项技术能够比一个理想的设备运行得更好,达到100%的效率,”郭说,他也是该大学物理和材料科学项目的成员。“这是一种简单、耐用、廉价的解决全球水危机的方法,尤其是在发展中国家。”

    实验室的实验表明,该方法降低了所有常见污染物的存在,如洗涤剂、染料、尿液、重金属和甘油,以安全水平饮用。

    郭说,这项技术在发达国家也可以用于缓解干旱地区的水资源短缺,以及用于海水淡化项目。

    易于清洁,易于瞄准

    利用阳光煮沸一直被认为是一种消除微生物病原体和减少腹泻感染死亡的方法。但是沸水并不能消除重金属和其他污染物。

    然而,基于太阳能的水净化,可以大大减少这些污染物,因为当蒸发的水变成气态,然后冷凝和收集时,几乎所有的杂质都留下了。

    基于太阳的水蒸发最常见的方法是体积加热,即大量的水被加热,但只有最上层的水可以蒸发。郭说,这显然是低效的,因为只有一小部分的加热能源被使用。

    一种更有效的方法叫做界面加热,将漂浮的多层吸能材料和吸芯材料放在水面上,这样就只需要加热靠近水面的水。但是现有的材料都必须水平漂浮在水面上,不能直接面对太阳,郭说。因此,这种方法的能源效率较低。此外,可用的吸芯材料在蒸发后很快被遗留的污染物堵塞,需要频繁更换材料。

    郭实验室开发的太阳能电池板通过将一薄层水从蓄水池中拉出来,直接放到太阳能吸收器表面进行加热和蒸发,从而避免了这种低效率。“此外,因为我们使用的是开槽表面,只要喷一下就很容易清洁,”郭说。

    “最大的优势,”他补充说,“是电池板的角度可以不断调整,在太阳升起时直接面对太阳,然后在太阳落山前在天空移动”——最大限度地吸收能量。郭说:“我们在这里所能做的,完全是独一无二的。”

    最新的一系列应用

    该项目得到了比尔和梅林达·盖茨基金会、国家科学基金会和美国陆军研究办公室的资助。

    美国陆军作战能力发展司令部陆军研究实验室的项目经理埃文·阿斯特伦说:“美国陆军及其作战人员靠水作战,因此人们对基础材料研究特别感兴趣,这可能导致生产饮用水的先进技术。”“这些铝表面的超强吸光性能可能使被动式或低功率水净化能够更好地维持战场上的战士。”

    除了使用飞秒激光蚀刻技术来创建超疏水(水),superhydrophilic (water-attracting)和超级能量吸收金属,郭实验室创造了金属结构,不无论多久他们被迫陷入水或多少损坏或刺穿。

    在制造这种吸水和驱水金属之前,郭和他的助手Anatoliy Vorobyev演示了利用飞秒激光脉冲将几乎所有金属都变成黑色。金属表面的结构在捕获入射辐射(如光线)时非常有效。但它们也能捕获波长范围很广的光。

    随后,他的团队用类似的方法将一系列金属的颜色改变为不同的颜色,比如蓝色、金色和灰色。这些应用包括制造滤色器和光谱设备,在汽车厂使用一束激光来生产不同颜色的汽车;或者用一枚金色的订婚戒指求婚,戒指的颜色要和你未婚妻的蓝色眼睛颜色相配。

    该实验室还利用最初的黑色和彩色金属技术在普通钨丝表面创建了一组独特的纳米和微尺度结构,使灯泡在同样的能源使用情况下发出更明亮的光芒。

相关报告
  • 《中国科学院在超高精度激光光刻技术上取得重要进展》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2020-07-13
    • 亚10 nm的结构在集成电路、光子芯片、微纳传感、光电芯片、纳米器件等技术领域有着巨大的应用需求(图1),这对微纳加工的效率和精度提出了许多新的挑战。激光直写作为一种高性价比的光刻技术,可利用连续或脉冲激光在非真空的条件下实现无掩模快速刻写,大大降低了器件制造成本,是一种有竞争力的加工技术。 然而,长期以来激光直写技术由于衍射极限以及邻近效应的限制,很难做到纳米尺度的超高精度加工。近期,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作,在Nano Letters上发表了题为“5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography”的研究论文,报道了一种他们开发的新型5 nm超高精度激光光刻加工方法(DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c00978)。 中国科学院苏州纳米所张子旸研究员团队长期从事微纳加工技术的开发、高速光通信半导体激光器、超快激光器等的研制工作(ACS Photonics 6, 1581, 2019; Light. Sci.Appl. 6,17170, 2018; ACS Photonics, 5, 1084,2018, Adv. Opt. Photon., 2, 201, 2010; 授权专利:106449897B);国家纳米中心刘前团队长期从事微纳加工方法及设备的创新研究,发展出了多种新型微纳加工方法和技术(专著:Novel Optical Technologies for Nanofabrications; Nano Letters 17,1065,2017; Nature comm. 7,13742,2016; Adv. Mater. 24,3010,2012; 授权专利:美国US 2011/0111331 A1和日本J5558466)。本研究中使用了研究团队所开发的具有完全知识产权的激光直写设备,利用了激光与物质的非线性相互作用来提高加工分辨率,其有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径;并打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制,可使用多种受体材料,极大地扩展了激光直写的应用场景。本项工作中,研究团队针对激光微纳加工中所面临的实际问题出发,很好地解决了高效和高精度之间的固有矛盾,开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现了广阔的应用前景。 图1 亚十纳米图形结构的应用领域和方向。 本工作中,基于光热反应机理,研究团队设计开发了一种新型三层堆叠薄膜结构。在无机钛膜光刻胶上,采用双激光束(波长为405 nm)交叠技术(见图2a),通过精确控制能量密度及步长,实现了1/55衍射极限的突破(NA=0.9),达到了最小5 nm的特征线宽。此外,研究团队还利用这种超分辨的激光直写技术,实现了纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备(如图2b-c)。相较而言,采用常规聚焦离子束刻写,制备一个纳米狭缝电极需要10到20分钟,而利用本文开发的激光直写技术,可以一小时制备约5×105个纳米狭缝电极,展示了可用于大规模生产的潜力。 图2 双束交叠加工技术示意图(左)和5 nm 狭缝电极电镜图(右)。 纳米狭缝电极作为纳米光电子器件的基本结构,有着极为广泛的应用。在本研究中,该团队还利用发展的新技术制备出了纳米狭缝电极为基本结构的多维度可调的电控纳米SERS传感器。可在传感器一维方向上对反应“热点”完成定点可控,实现了类似逻辑门“0”、“1”信号的编码和重复(图3a-b),并可通过狭缝间距和外加电压的改变,实现了对反应“热点”强度的精确可调(图3c-d),这对表面科学和痕量检测等研究有着重要的意义。 图3 (a)纳米SERS传感器的光学显微镜图;(b)一维线性扫描下拉曼信号谱;(c)不同宽度下拉曼信号谱;(d)不同外加电压下拉曼信号谱。
  • 《ASML光刻机拟遭禁运 我国光刻机和极紫外光刻技术发展状况》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2020-01-09
    • 近日, 美政府阻挠荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)向中芯国际出售价值1.5亿美元的EUV(极紫外光刻机),ASML与中芯国际终止合作的 新闻刷爆了科技圈。尽管双方均出面澄清无此事,但事情真伪尚未有最终定论。 众所周知,光刻机 被誉为半导体工业皇冠上的明珠,现代光学工业之花。光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,而光刻机也因制造过程复杂、生产难度极大而仅为少数企业所掌握。 荷兰ASML 连续18年稳居市场第一 ,其市占率超过80%,日本尼康、日本佳能位列其后。我国虽然也能生产光刻机,但目前只能生产 90nm制程工艺的光刻机,其中 上海微电子装备有限公司占据国内80%的市场。据悉,上海微电子已经开始了65nm制程光刻机的研制。 目前最先进的第五代光刻机采用EUV光刻技术,以波长为13.5nm的极紫外光作为光源。 ASML生产的EUV光刻机部分光源由 激光 行业的巨头通快集团提供。据OFweek激光网了解,通快集团为ASML提供用于极紫外光刻的特殊 激光器 是通快业绩增长的关键驱动力,18/19财年该业务的收入从2.6亿欧元增长到3.9亿欧元,增长了48%。 实际上,我国对光刻机和极紫外光刻技术的探索从未停止。 光刻机和极紫外光刻技术 的探索之路 资料显示,1977年,我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生,这是一台接触式光刻机,当时光刻机巨头ASML还没有出现,但美国在20世纪50年代就已经拥有了接触式光刻机,日本的尼康和佳能也于60年代末开始进入光刻机领域。然而苦于当时国内生产工艺尚不成熟,所以光刻机也一直没有得到更深入的研究。 到了八九十年代,“造不如买”的思想席卷了大批制造企业, 大批企业纷纷以“贸工技”作为指导思想 ,集成电路产业方面也出现了脱节。在这样的大环境下,光刻机产业同样也出现了衰退。虽然后续一直在追赶国外列强的脚步,但产业环境的落后加上本来就与世界先进企业有差距,使得中国终究没有在高端光刻机领域留下属于自己的痕迹。 2000年后,全球半导体产业开始兴旺,中国也重新开始重新关注并发展EUV技术。最初开展的基础性关键技术研究主要分布在EUV光源、EUV多层膜、超光滑抛光技术等方面。 2007年,中国科学院上海光学精密机械研究所“ 极紫外光刻机光源技术研究 ”项目通过验收;