日本的功率半导体制造商ROHM宣布开发出额定功率为1700V / 250A的SiC功率模块，该功率模块拥有业界最高的可靠性。
ROHM的功率模块能在1700V时具有高可靠性，同时拥有1200V SiC产品具备的节能性，实现了所谓的1700V SiC功率模块的首次商业化。
实验高压、高温、高湿度反向偏压测试期间，当在85°C和85％湿度下施加1360V超过1000小时，没有出现故障。为确保最高水平的可靠性，ROHM以不同的间隔测试模块的漏电流，最高阻断电压为1700V。
将ROHM经过验证的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和SiC肖特基势垒二极管（SBD）整合到同一模块中并优化内部结构，可使其导通电阻比其他SiC产品低10％。
ROHM的目标是继续扩大其产品阵容，同时提供评估板，以便测试和验证其SiC模块性能。
