《苏州纳米所测试分析平台在纳米尺度载流子输运性质表征技术和仪器研制上取得新进展》

  • 来源专题:生物安全知识资源中心—领域情报网
  • 编译者: hujm
  • 发布时间:2022-05-22
  •  传统的测试载流子动力学的手段,包括时间分辨光致荧光(TRPL),表面光电压谱(SPV)和光诱导瞬态光栅光谱(LITG)能分别测量载流子寿命、扩散长度和扩散系数等材料特性,但是分辨率通常在微米以上,且无法与纳米尺度结构特征原位对应。近年来,Mounir Mensi等提出一种基于扫描近场光学显微镜(SNOM)的扫描扩散显微术方法(ACS Photonics,5,528–534(2017)),通过原位测量近场和远场的时间分辨荧光,解析载流子横向扩散系数的空间分布,分辨率可以达到100nm,并与同位的表面形貌相对应,非常适合于量子阱等薄膜结构。

      苏州纳米所测试分析团队基于自主研制的光辅助扫描开尔文探针显微镜发展了一种新型的扫描扩散显微术的测量方法,这种方法区别于基于SNOM的方法,其测量的扩散运动的方向是垂直于表面,尤其适合于块材和多层的器件结构的解析。 该工作在《Journal of Applied Physics》期刊上发表并被选为该期封面论文(Direct measurement for nanoscale vertical carrier diffusion on semiconductor surface—An approach toward scanning diffusion microscopy)。文章第一作者为博士研究生王亚坤,通讯作者为刘争晖正高级工程师、徐科研究员。

      如图2所示,通过扫描开尔文探针显微术探测光生电势随波长的变化和空间分布,可对载流子的扩散长度进行拟合;将扩散长度分布结合同位测量的时间分辨荧光寿命,可以获得垂直于表面的扩散系数的空间分布和变化,从而可以同时获得纳米尺度的表面形貌、扩散长度和扩散系数的定量信息,为评价微观结构对载流子输运性质的影响提供了新的手段。如图 3所示,375nm光照下氮化镓表面压痕处的光电势图像与同位获得的形貌图像、阴极射线荧光光谱(CL)图像和载流子寿命图像对比。可以看到光电势图像具有极高的空间分辨率,与CL揭示的非辐射复合中心可以对应。如图4所示,根据光电压谱拟合得到的白线位置的载流子寿命、扩散长度和扩散系数的分布。可以清晰的看到,在压痕导致的位错环与表面相交的位置,表面光电势较小,在图中呈现为两条黑线;跨越位错环时,扩散系数从0.2-0.5 cm2/s,降低到0.02cm2/s,显示了位错等缺陷对载流子输运性质的局域影响非常明显。

  • 原文来源:http://www.sinano.cas.cn/news/kyjz/202205/t20220518_6449700.html;
相关报告
  • 《苏州纳米所加工平台在自旋纳米微波放大器研制方面取得进展》

    • 来源专题:生物安全知识资源中心—领域情报网
    • 编译者:hujm
    • 发布时间:2023-05-16
    •   自旋电子学是微电子技术与磁性物理学结合形成的前沿交叉学科,旨在利用电子的自旋属性作为信息载体,同时兼具数据的非易失性存储、运算和传感功能,有望为后摩尔时代的新型智能芯片架构提供潜在解决方案。其中,由金属磁性层/绝缘层/金属磁性层的核心结构组成的磁性隧道结(MTJ),作为自旋电子学的核心器件,具有尺寸小、磁阻率高、功耗低、非易失以及本征的高频特性,在磁性传感、磁性存储、微波通讯、无线供能以及类脑计算等领域具有重要的应用价值,已经得到科研和产业界的广泛关注。   近年来,中国科学院苏州纳米所加工平台围绕磁性隧道结的多功能器件应用开展了一系列的创新性研究。例如:利用薄膜界面磁各向异性构建纳米磁性隧道结材料与器件,实现了无需外加磁场的低功耗、高灵敏的纳米微波探测器(Appl. Phys. Lett. 113 ,102401 (2018);Appl. Phys. Lett. 117, 072409 (2020);Appl. Phys. Lett. 122, 092405 (2023));开发了带宽大于3 GHz的宽频微波整流器件,并用于微波能量收集功能,演示了在无线供能方面的应用前景(Phys. Rev. Appl. 11 , 014022 (2019);ACS Appl. Mater. Inter. 11 (32), 29382?29387 (2019))。   基于磁性隧道结的多态存储、随机翻转以及微波动力学等特性,研究团队探索了基于磁性隧道结在人工智能方面的应用。利用微波整流输出特性模拟神经元稀疏激活特性(Appl. Phys. Lett. 114, 192402 (2019));利用磁性隧道结的随机翻转特性模拟了神经网络中Sigmoid人工神经元,神经网络识别率高达95%(Phys. Rev. Appl. 11, 034015 (2019));构筑了低功耗人工突触器件,实现了突触的尖峰放电时间依赖可塑性(Appl. Phys. Lett. 121, 232406 (2022));利用自旋二极管模拟神经元群体编码,并用于人工神经网络中实现可重构的人工神经元(Appl. Phys. Lett. 122, 122402 (2023))等。   除了在微波探测和类脑功能的研究之外,磁性隧道结丰富的磁动力学特性也为微波放大功能的开发提供了可能。事实上,由半导体材料构建的传统微波放大器,在微波通讯等领域已经得到了广泛应用。随着物联网和5G通信技术的发展,对放大器的尺寸和功耗也提出了更高的要求。前期研究结果表明,利用电子自旋属性开发的纳米尺度磁性电子器件有望发展新一代小尺寸和高性能微波器件。近期,中国科学院苏州纳米所加工平台曾中明研究员等设计和制备出具有正交磁化的纳米磁性隧道结器件,在1-2.5 GHz频率范围内观测到了增益|S11|>2的微波放大,理论研究表明微波放大的物理机制源于注入锁相,该工作为设计新型纳米微波放大器提供了潜在方案。相关研究成果以Nonlinear amplification of microwave signals in spin-torque oscillators为题,发表在《自然·通讯》(Nature Communications)。中国科学院苏州纳米所硕士研究生朱可强、意大利巴里理工大学Mario Carpentieri博士、中国科学院苏州纳米所博士生张黎可为论文共同第一作者,中国科学院苏州纳米所方彬项目研究员、意大利墨西拿大学Giovanni Finocchio教授、中国科学院苏州纳米所曾中明研究员为论文通讯作者。该研究得到了国家自然科学基金、王宽诚教育基金、中国科学院率先行动引才计划等项目支持。  
  • 《苏州纳米所陆书龙团队在氮化镓基纳米柱材料和探测器领域取得新进展》

    • 来源专题:生物安全知识资源中心—领域情报网
    • 编译者:hujm
    • 发布时间:2022-06-20
    •  氮化镓(Gallium nitride,GaN)作为宽禁带半导体,是第三代半导体的代表性材料,其为直接带隙材料,具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点,在照明、显示、探测等多个领域有着很高的应用价值。低维(如纳米柱、量子点)GaN基材料因其独特的物理特性,受到了学术界的广泛关注。   中国科学院苏州纳米所陆书龙团队利用分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)技术开展了GaN基纳米柱材料外延生长的研究,基于纳米柱结构的GaN基探测器有望获得良好的柔韧性,可以拓展GaN基材料在光电探测器领域的发展与应用。   在前期柔性GaN基纳米柱薄膜快速剥离技术和相关探测器件的基础上(ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943;ACS Photonics 2021, 8: 3282;Materials Advances, 2021, 2: 1006),最近该团队利用转移的(Al,Ga)N纳米柱薄膜制备了一种柔性自驱动紫外探测器,该器件具有很高的紫外/可见光抑制比(977)、比探测率(2.51×1011 Jones)和透明度(Max: 81%)。同时实验发现,该自驱动探测器具有良好的柔韧性(图1),500次的大幅弯折之后,器件的光电流的强度仍然保持稳定。此外,GaN基材料稳定的物化性质和器件钝化工艺,使探测器在长时间的光照测试(6000s)、耐久度测试(30天)后依然能具有良好的稳定性。  氮化镓(Gallium nitride,GaN)作为宽禁带半导体,是第三代半导体的代表性材料,其为直接带隙材料,具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点,在照明、显示、探测等多个领域有着很高的应用价值。低维(如纳米柱、量子点)GaN基材料因其独特的物理特性,受到了学术界的广泛关注。   中国科学院苏州纳米所陆书龙团队利用分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)技术开展了GaN基纳米柱材料外延生长的研究,基于纳米柱结构的GaN基探测器有望获得良好的柔韧性,可以拓展GaN基材料在光电探测器领域的发展与应用。   在前期柔性GaN基纳米柱薄膜快速剥离技术和相关探测器件的基础上(ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943;ACS Photonics 2021, 8: 3282;Materials Advances, 2021, 2: 1006),最近该团队利用转移的(Al,Ga)N纳米柱薄膜制备了一种柔性自驱动紫外探测器,该器件具有很高的紫外/可见光抑制比(977)、比探测率(2.51×1011 Jones)和透明度(Max: 81%)。同时实验发现,该自驱动探测器具有良好的柔韧性(图1),500次的大幅弯折之后,器件的光电流的强度仍然保持稳定。此外,GaN基材料稳定的物化性质和器件钝化工艺,使探测器在长时间的光照测试(6000s)、耐久度测试(30天)后依然能具有良好的稳定性。  上述研究成果以Flexible self-powered photoelectrochemical photodetector with ultrahigh detectivity, ultraviolet/visible reject ratio, stability, and a quasi-invisible functionality based on lift-off vertical (Al,Ga)N nanowires为题发表于Advanced Materials Interfaces,共同第一作者是博士生蒋敏和张建亚,该论文被期刊选为背封面(Back Cover,图2)。  此外,团队在自驱动光电探测器中成功引入了GaN/铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿核壳异质结纳米柱结构,发现CsPbBr3量子点能够大幅提升光电流(约160%),从而提升响应度(1.08 vs 0.41 mA/W)。CsPbBr3量子点能够产生内建电场和调控能带,GaN与量子点之间的光反射也有利于增加光子吸收和载流子产生,从而增强光电流。相关工作以Enhance the responsivity and response speed of self-powered ultraviolet photodetector by GaN/CsPbBr3 core-shell nanowire heterojunction and hydrogel为题发表于Nano Energy ,第一作者是博士生张建亚。   上述论文的通讯作者为赵宇坤副研究员和陆书龙研究员,相关研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国科学院从0到1原始创新项目、江苏省重点研究项目以及所自有资金等项目的资助,同时也得到了中国科学院苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X),加工平台和测试平台的支持。