《量子计算可以创造光控存储技术》

  • 来源专题:计量基标准与精密测量
  • 编译者: 李晓萌
  • 发布时间:2024-01-24
  • 近日,希伯来大学的一项新研究揭示了光和磁性之间以前未知的联系。这一发现可能会带来超快的光控存储技术和检测光的磁性部分的创新传感器。这一突破有望彻底改变我们在各个行业存储数据和构建设备的方式。

    希伯来大学应用物理与电气工程研究所自旋电子学实验室负责人Amir Capua教授宣布,在光磁相互作用领域取得了关键突破。该团队的意外发现揭示了一种光学激光束控制固体磁性状态的机制,有望在各种行业中得到实际应用。

    Capua教授表示:“这一突破标志着我们对光和磁性材料之间相互作用的理解发生了范式转变。”。“它为光控高速存储器技术,特别是磁阻随机存取存储器(MRAM)和创新的光学传感器开发铺平了道路。事实上,这一发现标志着我们对光磁动力学的理解发生了重大飞跃”。

    这项研究通过揭示被忽视的光的磁性方面来挑战传统思维,与光辐射的快速行为相比,由于磁体的反应较慢,光的磁性通常较少受到关注。通过调查,该团队揭示了一个新的理解:快速振荡光波的磁性成分具有控制磁体的能力,重新定义了原理物理关系。有趣的是,确定了一个描述相互作用强度的基本数学关系,并将光磁场的振幅、频率和磁性材料的能量吸收联系起来。

    这一发现与量子技术领域密切相关,并结合了迄今为止几乎没有重叠的两个科学界的原理:“我们是通过使用量子计算和量子光学界公认的原理而达成这一理解的,但在自旋电子学和磁学界则不然。“当磁性材料和辐射处于完美平衡时,它们之间的相互作用就确立了。然而,到目前为止,已经非常部分地描述了辐射和磁性材料都不平衡的情况。这种非平衡状态是量子光学和量子计算技术的核心。通过我们对磁性材料中这种非平衡状态的研究,同时借鉴量子物理学的原理,我们已经基本理解了磁体甚至可以对光的短时间尺度做出反应。此外,这种相互作用是非常重要和有效的。

    Capua解释道:“我们的发现可以解释过去2-3年中报道的各种实验结果。”。

    Capua教授表示:“这一发现具有深远的意义,特别是在使用光和纳米磁体进行数据记录的领域。”。“它暗示了超快、节能的光控MRAM的潜在实现,以及信息存储和处理在不同领域的巨大转变。”

    此外,在这一发现的同时,该团队还引入了一种能够检测光的磁性部分的专用传感器。与传统传感器不同,这种尖端设计在各种应用中提供了多功能性和集成性,有可能以多种方式利用光来彻底改变传感器和电路设计。

    这项研究由自旋电子学实验室的博士候选人Benjamin Assouline先生进行,他在这一发现中发挥了至关重要的作用。认识到他们突破的潜在影响,该团队已经申请了多项相关专利。

    这项研究得到了以色列科学基金会、Peter Brojde创新工程和计算机科学中心以及希伯来大学纳米科学和纳米技术中心的支持

    题为“Landau-Lifshitz-Gilbert方程中出现的磁化状态的螺旋度相关光学控制”的文章发表在《Physical Review Research》上。

相关报告
  • 《研究人员开发出用铒制造量子比特的新技术》

    • 来源专题:计量基标准与精密测量
    • 编译者:李晓萌
    • 发布时间:2024-04-18
    • 量子比特是量子技术的基石,寻找或构建稳定且易于操作的量子比特是量子技术研究的中心目标之一。科学家们发现,一个铒原子——一种稀土金属,有时被用于激光器或给玻璃上色——可以是一个非常有效的量子比特。 为了制造铒量子比特,铒原子被放置在“宿主材料”中,在那里铒原子取代了一些材料的原始原子。两个研究小组——一个是由芝加哥大学普利兹克分子工程校友曼尼什·辛格创立的量子创业公司memQ的研究小组,另一个是美国能源部阿贡国家实验室的研究小组——使用不同的铒宿主材料来推进量子技术,展示了这种量子比特的多功能性,并强调了材料科学对量子计算和量子通信的重要性。 这两个项目解决了量子计算研究人员一直试图解决的挑战:设计多量子位设备和延长量子位存储信息的时间。 “这两项研究的成果确实凸显了材料对量子技术的重要性,”参与了这两个项目的阿贡国家实验室科学家、芝加哥大学凯斯实验室科学家F. Joseph Heremans说。“量子比特所处的环境和量子比特本身一样重要。” 启动memQ选择性地激活铒量子比特,使其更容易控制多量子比特设备。 铒作为量子比特很受欢迎,因为它可以通过与互联网和电话线通道相同的光纤有效地传输量子信息;它的电子也以这样一种方式排列,它特别能抵抗可能导致量子比特丢失信息的环境变化。 但是,将铒插入宿主材料的生长过程会以一种科学家无法精确控制的方式将原子分散到整个材料中,这使得设计多量子位器件变得困难。在一项全新的技术中,memQ的科学家们发现了一种解决方法:用激光“激活”某些铒原子。这项研究最近发表在《Applied Physics Letters》期刊上。 memQ的首席技术官兼联合创始人Sean Sullivan说:“我们实际上并没有把铒放在特定的位置上,铒分散在整个材料中。”他毕业于Duality,这是一个量子创业加速器,由芝加哥大学波尔斯基创业与创新中心和芝加哥量子交易所共同领导,创始合伙人是伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校、阿贡大学和P33。“但是通过使用激光,我们可以改变特定区域的晶体结构,从而改变该区域的铒的性质。所以我们正在选择使用哪种铒作为量子比特。” 该技术依赖于主体材料二氧化钛(TiO2)的特性。由于其对称性,TiO2的晶格有两种可能的构型。插入到晶格中的铒原子将以不同的频率进行通信,这取决于它所处的TiO2的结构。 在memQ的技术中,铒分散在一种结构的TiO2薄膜中。然后,高功率激光聚焦在某些铒原子周围的晶体上,永久地将TiO2扭曲成只有在这些位置的其他构型。现在,激光选择的铒原子都可以以相同的频率通信,完全与其他原子分离。 新程序代表了量子技术领域的重大进步,被称为固态技术。 memQ的首席执行官兼联合创始人Manish Singh表示:“你不可能在100个随机位置使用量子比特来构建有用的东西。”“通过我们的平台,我们可以选择在我们想要使用的布局中使用哪种铒,这是固态社区长期以来一直回避的功能。” 阿贡科学家实现了长铒量子比特相干时间 衡量量子位有效性的一个关键指标是它的相干时间:它可以保留量子信息的时间。这对于打算用作量子存储器的量子比特尤其重要,量子存储器相当于经典计算机存储器。但是相干性是非常脆弱的——一个量子位可能会因为与环境中的某些东西(如空气或热量)相互作用而失去相干性。 铒原子可以利用它们的电子来保留量子信息,这些电子具有一种称为“自旋”的特性。原子核,即原子中心的质子和中子簇,也有“自旋”,电子和原子核的自旋可以相互影响。铒量子比特丢失量子信息的一种常见方式是,它的电子自旋与它周围一个原子的核自旋相互作用。 因此,阿贡国家实验室的研究员Jiefei Zhang为铒寻找了一种宿主材料,这种材料具有尽可能低的核自旋,但也可以用更传统的硅技术制造。她发现了一种不同的氧化物,这次是一种稀土元素:二氧化铈,也被称为铈(CeO2)。 铈是最丰富的稀土元素,在工业化学中用作氧化剂和催化剂。不像TiO2有多种可能的结构构型,CeO2只有一种,而且是极度对称的。正因为如此,在CeO2中的铒量子比特更加稳定。 “在铈中,两个不同的铒量子比特将看到相同的晶体环境,”Zhang说。“因此,同时控制它们非常容易,因为它们的行为方式非常相似。” 值得注意的是,memQ开发的新定位技术在像ceo2这样高度对称的晶体结构上是不可能的,但是Zhang能够从铒量子比特中看到更长的相干时间,随着他们继续发展实验,有可能更长。该作品可以在预印本服务器arXiv上找到。 Zhang说:“每种材料肯定都有优缺点,这在量子领域很常见。” 二氧化钛的研究是由memQ与Jonghoon Ahn博士、F. Joseph Heremans博士和Argonne国家实验室的Supratik Guha博士合作完成的。CeO2的工作来自F. Joseph Heremans博士、Supratik Guha教授和David D. Awschalom教授的团队,David D. Awschalom教授也是CQE的主任。该研究由Guha小组的研究生Gregory Grant和Jiefei Zhang博士领导。memQ与阿贡的关系超越了与CQE的关系。联合创始人Sullivan和Singh在阿贡国家实验室相识,当时他们分别是Guha和Awschalom小组的研究生和博士后科学家。memQ也是阿贡国家实验室为期两年的企业家奖学金项目Chain Reaction Innovations的一部分。
  • 《美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员创造世界最小的原子存储单元》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:shenxiang
    • 发布时间:2020-11-30
    • 在高密度信息存储、计算和可重构系统的开发中,非易失性电阻开关(又称memristor效应)已成为高密度信息存储、计算和可重构系统发展中的一个重要概念。在过去的十年里,非挥发性电阻开关材料如金属氧化物和固体电解质取得了重大进展。长期以来,人们一直认为漏电流会妨碍对纳米薄绝缘层现象的观察。然而,最近在过渡金属二卤共生体和六方氮化硼二维单层中发现了非挥发性电阻开关,这一发现驳斥了以上观点,并由于尺寸缩放的好处而增加了一种新的材料维度。 美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员以单层MoS2为模型系统,阐明了原子片中开关机制的起源。原子成像和光谱分析表明,金属取代硫空位会导致电阻的非挥发性变化,而缺陷结构和电子状态的计算研究证实了这一点。这些发现提供了对非易失性开关的原子论理解,并为精确缺陷工程开辟了一个新的方向,从单个缺陷开始,朝着在超高密度存储器、神经形态计算和射频通信系统中实现最小的记忆阻制器。 研究人员创造了有史以来最小的记忆存储设备之一,横截面面积只有一平方纳米,厚度只有一个原子。这种被称为 “原子电阻”的装置是通过单个原子的运动来工作的,这将为具有超高信息密度的更小记忆系统铺平了道路。如果扩大规模,它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片,这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右,但它运行所需的能量更少。 这种新设备属于一类新兴的电子器件,称为记忆电阻(Memristors),它使用电阻开关存储数据。从本质上讲,当某种材料暴露在一定的电压下时,其电阻可以切换,变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备,随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。在这种情况下,这种电阻开关是通过单原子移入和移出纳米级孔来处理的,这将改变材料的导电性。研究人员表示这一概念也应该适用于一系列类似的材料。 图1 材料表征 该研究成果11月9日发表在《Nature Nanotechnology》, 题目:“Observation of single-defect memristor in an MoS2 atomic sheet”。 原文链接:https://www.nature.com/articles/s41565-020-00789-w