《Lumentum推出980nm单模泵浦激光器系列》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2019-03-10
  • 美国的光学和光子光学元件及子系统制造商Lumentum Holdings Inc推出了一系列980nm单模泵浦激光器,共有4个。下一代系列采用的芯片继承了Lumentum专有的高可靠性技术,可提供更高的输出功率和效率。

    该系列单模泵浦激光器包括S32、S29、M31和M29器件。S29和M29模块在45°C的半冷却条件下运行,可显着降低热电冷却器(TEC)的应变,从而实现低功耗。M31模块是一款高效、低功耗的小型封装泵浦激光器,可产生900mW的工作功率。对于最高工作功率为1000mW的应用,客户可以选择功耗低、效率高的S32模块冷却泵。

    这些模块符合严格的电信行业要求,包括用于密封980nm泵模块的Telcordia GR-468-CORE标准。四款新型泵激光器均符合行业标准,并于3月开始大批量生产。

    Lumentum杰出技术人员Victor Rossin说道:“新泵的最大无扭结功率可以达到1100mW,效率提高了30%,比上一代产品提高了30%,显着降低了14引脚和10引脚蝶形封装中高功率泵浦激光器的功耗。”

    电信运输总经理Doug Alteen说道“突破性的1100mW输出功率、低功耗和小的外形尺寸可以使高功率和高密度掺铒光纤放大器(EDFA)部署到可重新配置的光分插复用器(ROADM)刀片中。Lumentum正在满足客户对于容量和可扩展性需求,这是由C和C+L Roadm网络发展所驱动的。这一成就是基础砷化镓核心芯片技术不断发展的结果,我们将更专注于高可靠性二极管激光器,以便为电信、工业激光器和3D传感中的各种应用提供服务。”

相关报告
  • 《II-VI高意推出400mW微型泵浦激光器,用于下一代相干收发器中的高温操作》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-09-23
    • 美国工程材料和光电组件制造商II-VI高意已推出适用于高温操作的400mW微型泵浦激光器。 下一代相干传输应用需要一种在空间、功率和热都受到限制时仍能高效运行的光放大器。 II-VI高意的单模非冷却微泵浦激光器可在温度高达85°C的环境中保持400mW的高输出功率,而功耗仅为1W。 首席营销官Sanjai Parthasarathi博士说:“去年,我们的微型泵浦激光器的输出功率提升一倍,达到400mW,远远领先于竞争对手。这个产品现在可以提供最紧凑的解决方案,满足今天市场环境性能所要求的最大范围。帮助客户最大幅度地缩小收发器嵌入式放大器尺寸并降低功耗,实现1 Tbps甚至超1 Tbps速率的新型高紧凑型光收发器。” 微型泵浦器件配合80μmPM980和125μmHI 1060单模光纤,可以实现非常紧凑的弯曲半径,以匹配微型泵的10mm x 4.4mm小型封装。 9月23日至25日,II-VI高意将在欧洲光通信会议(ECOC 2019)上的第467号展位上展示其最新产品组合中光网络各类解决方案。产品展示包括行业最丰富、最深垂直整合的一系列ROADM显卡和高速DWDM光收发器的高紧凑光放大器方案。
  • 《硅基连续波QDash激光器》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2020-12-06
    • 中国香港科技大学(HKUST)宣称制造了首个硅基连续波(CW)C波段(?1580nm波长)QDash激光二极管,其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外,此类器件还可以用于光检测和测距(LiDAR)组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓(GaAs),作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环,可降低此缓冲区中的缺陷密度,并将x射线衍射(XRD)摇摆曲线半最大宽度(FWHM)从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中,平面Si(GoPS)上GaAs的均方根(RMS)表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长:445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP,超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜(TEM)分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值,标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”(DWELL)QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间,即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制,改变折射率对比和层厚度,研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长,点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高,从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C,样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制,但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器,生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中,第一台面终止于有源区上方,第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前,将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波(CW)工作时不会发光。同样,样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下,样品B激光二极管的特征温度(T0)反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化(脊向下一步形成到n-InP触点)使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中,可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大,发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成,支持多种Fabry-Perot模式。