澳大利亚的BluGlass有限公司表示,在独特的生长和激活的p-GaN(AAG)技术中使用低温远程等离子体化学气相沉积(RPCVD)制造技术,来实现和展示功能性隧道结,以便能够制造级联发光二极管。
使用单个芯片在连续垂直堆叠中通过隧道结来生长LED,以在单个芯片上互连多个LED。这种垂直布置使级联LED受益于降低的效率下降,垂直布置方案增加了单个晶圆制造的器件数量,可以降低制造成本。
目前级联LED尚未商业化,这是因为使用现有的MOCVD制造技术很难实现GaN基材料系统中的工作隧道结,相比之下,BluGlass的RPCVD技术的低温沉积与氮等离子体结合作为氮源而不是氨,从而能够制造实用的GaN基隧道结器件。
BluGlass表示正在优化RPCVD隧道结,以实现级联LED,以满足LED市场对亮度和外形尺寸的要求。