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《Ge量子点/石墨烯复合材料中具有明显量子点生长演化的高可调掺杂》

  • 来源专题：纳米科技
  • 编译者： 郭文姣
  • 发布时间：2019-02-26

  • 量子点/石墨烯(QDs/Gr)复合材料作为新一代电子和光电器件的光吸收材料，具有独特的协同效应，近年来成为研究热点。本研究采用简单有效的离子束溅射沉积技术制备了Ge QDs/Gr复合材料。通过Ge沉积量的影响，详细研究了石墨烯的完整生长演化过程。Ge沉积量的影响会使石墨烯的QDs结晶度增强，缺陷减少。此外，通过改变石墨烯上Ge原子的沉积量，通过人工控制有效调节石墨烯掺杂，是一种可行且具有启发性的策略。此外，通过QD表面的氧缺陷影响了Ge QD与石墨烯界面的电荷转移和相互作用强度，这与场效应晶体管试验和第一原理计算相一致。Ge QDs修饰石墨烯的p掺杂特性在石墨烯基建筑砌块能带工程、石墨烯基复合材料开发和近红外探测器应用方面具有重要的应用前景。

    ——文章发布于2019年2月25日

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