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《MC机械的光纤激光器的生态模式降低待机时的成本》

  • 来源专题：数控机床与工业机器人
  • 编译者： 杨芳
  • 发布时间：2018-02-26

  • MC机械的光纤激光器提供已扩大到包括来自三菱的sr-f系列。在2和3千瓦，入门级的机器配有一个二维光纤激光处理系统，光纤激光谐振腔，加工头和安全盖。它还包括一个三菱700系列控制器与64位NC和15"触摸屏。Motion Cut功能的光束开/关时间和轴向运动，同时消除需要轴停止。生态模式的特点是说，在待机时间降低成本高达70%。机器的功率控制系统的功率稳定度为1%。自动对焦使更容易并能达到一致的对焦。磁损伤减少功能在碰撞事件中保护头部和消除喷嘴中心。MC Remote 360功能还能提供实时数据，以帮助提高生产率，提高效率和减少停机时间。

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  • 《重磅 | 首台85kw光纤激光器在苏州正式投产》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2023-09-25
    • 日前，深圳市创鑫激光股份有限公司（以下简称“创鑫激光”）宣布，其研制的85kW光纤激光器已在公司位于江苏苏州的产业园正式投产。据悉，这是全球首台达到85kW的光纤激光器，经中国光学会激光加工专业委员会调查验证，认证为全球工业切割领域光纤激光器最高功率记录。 创鑫激光董事长兼总经理蒋峰介绍说，这台85kW光纤激光器拥有全部自主知识产权，具备更强的切割能力、更快的切割速度、更优的切割质量，已能完全替代等离子切割、火焰切割等传统方式，将在船舶制造、工程机械、钢构地产、核能核电等众多领域发挥降本增效的积极作用。 激光被誉为“最快的刀”“最准的尺”“最亮的光”，是当前制造业迈向高端发展的重要驱动力，而更先进的激光技术也为制造业的精密加工、微细加工等未来发展的重点领域，创造了前所未有的可能性。 “全球正在从过去功能单一、效率低下、自动化程度低的金属硬质刀具，转型为自动化、智能化、数字化的激光数字刀具。”蒋峰说，激光数字刀具拥有可变功率、可变光斑、可变焦点、非接触式等优势，在激光切割下料一项就能替铣、锯、钻、冲、剪等多种传统工艺。另外，激光柔性生产的特性，可以普遍运用于以3D打印为代表的“增材制造”领域，以熔覆、淬火工艺为代表的“等材制造”领域以及常见的切割、钻孔为特点的“减材制造”领域。 20多年前，我国的光纤激光器产业还是一片空白，但在近10年，无论是软、硬件和应用生态都取得了突破性进展。 蒋峰表示，过去，欧洲、日本在传统高端精密机床技术领先全球，如今中国在激光技术方面拥有很强的实力。创鑫激光从核心元器件和材料着手进行垂直整合，自主研发激光器、激光配件和控制系统，实现产业链整合，且成本还在不断降低。 据了解，创鑫激光成立于2004年，经过多年发展，现已成为集光纤激光器及核心光学器件研发、生产和销售为一体的激光器厂商，并在光纤激光器、光学器件两类核心技术上拥有自主知识产权。 2017年，创鑫激光发布了国内首台万瓦级的激光器，其后几年，创鑫激光不断刷新全球超高功率工业激光器的最高功率纪录。而此次全球首台套85kw激光切制设备的发布，是创鑫激光在激光技术领域的又一重大突破，不仅体现了中国激光企业技术创新的能力，也显示出中国激光技术的全球竞争力。 随着超高功率激光设备适用场景的拓展和普及范围的扩大，更大的市场需求或将释放。为此，创鑫激光正在苏州建设二期产业园，扩大产线。 蒋峰说，该工程于2021年10月开始建设，总投资7亿元，预计明年3月竣工，达产后年生产连续光纤激光器15万台，将有力支撑用户对国产高功率激光器的紧迫需求。
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  • 《硅基连续波QDash激光器》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：Lightfeng
    • 发布时间：2020-12-06
    • 中国香港科技大学（HKUST）宣称制造了首个硅基连续波（CW）C波段（?1580nm波长）QDash激光二极管，其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外，此类器件还可以用于光检测和测距（LiDAR）组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓（GaAs），作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环，可降低此缓冲区中的缺陷密度，并将x射线衍射（XRD）摇摆曲线半最大宽度（FWHM）从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中，平面Si（GoPS）上GaAs的均方根（RMS）表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长：445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP，超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜（TEM）分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值，标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”（DWELL）QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间，即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制，改变折射率对比和层厚度，研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长，点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高，从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C，样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制，但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器，生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中，第一台面终止于有源区上方，第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前，将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波（CW）工作时不会发光。同样，样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下，样品B激光二极管的特征温度（T0）反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化（脊向下一步形成到n-InP触点）使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中，可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大，发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成，支持多种Fabry-Perot模式。
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