《利用低温电感耦合等离子体蚀刻10nm墙单晶体硅纳米管》

• 来源专题：纳米科技
• 发布时间：2016-08-05

单晶硅纳米结构近年来引起了人们的广泛关注，部分原因是由于其独特的光学性能。在这项研究中，我们展示了硅纳米管直接制备的10纳米墙具有低反射率。制备基于低温电感耦合等离子体反应，利用高分辨率氢倍半硅氧烷纳米结构作为模刻蚀工艺。主要包括基板蚀刻参数的低频功率和SF6/O2研究，确定过程中的腐蚀机理。比较常用的硅纳米柱具有相同的特征尺寸，密集的硅纳米管具有较低的反射率，这意味着光伏硅纳米管今后的可能应用相关领域。