ZnO纳米线被认为是压电器件的有吸引力的构件,包括纳米发生器和应力/应变传感器。然而,它们的整合需要使用金属种子层,在其上面通过化学浴沉积的ZnO纳米线的形成机制仍然很大程度上是开放的。为了解决该问题,深入研究了ZnO纳米线在Au种子层顶部的成核和生长机制,其厚度在5-100nm的范围内。我们表明ZnO纳米线呈现两种不同的具有给定形态的纳米物体群。大多数主要群体由垂直排列的ZnO纳米线制成,其在Au(111)晶粒的顶部上异质外延形成。发现所得的外延应变在Au / ZnO界面处完全消除。相反,少数次级群由ZnO纳米线组成,其相对于基板表面的法线具有大约20°的显着平均倾斜角,其可能形成在Au(111)晶粒的(211)面上。进一步发现ZnO纳米线的伸长率受到所研究条件下c面顶面的表面反应的限制。通过使用电子束光刻实现选择性区域生长,控制ZnO纳米线的位置,但两个群体仍然在整体中共存。这些发现提供了对ZnO纳米线在金属种子层上形成机制的深入理解,应该考虑到它们更有效地集成到压电器件中。
——文章发布于2019年5月29日