采用先原理计算，考虑了不同的边缘钝化，研究了四组原子(C、Si、Ge)的电子结构和运输特性，并对其进行了研究。结果表明，在APNRs中，C、Si、Ge掺杂剂可以诱导半导体到金属的过渡。在掺杂的APNR系统中，对掺杂浓度和边缘钝化类型的负差阻(NDR)行为具有很强的鲁棒性。然而，它们目前的峰值位置和峰谷比(PVR)值与掺杂浓度和边缘钝化类型相关。特别地，对于C、硅掺杂的APNRs，当使用F和H边缘钝化时，当掺杂浓度低时，可以观察到与PVR(105-108)的低偏差NDR行为。这些结果对未来低功耗纳米电子器件的制造具有重要的作用。
——文章发布于2017年10月09
