法国蔚蓝海岸大学已使用锗（Ge）掺杂来改善注入氮化铝镓（AlGaN）紫外线（UV）发光二极管的电流。
掺Ge层用于创建隧道结（TJ）的n型侧面，以提供用于注入并与量子阱（QW）发光有源区中的电子复合的空穴。在分子束外延（MBE）中，硅倾向于与用作氮源的氨（NH3）反应，从而限制了其掺杂效率，锗不太容易发生这种反应。
在可见的436nm波长蓝色LED中，使用隧道结可降低给定电流注入所需的电压，对于100和500A / cm2的电流密度，具有和不具有TJ的GaN LED的电压均从5.6V降至5.3V，分别从7.0V至6.6V。相应的光输出功率从0.7mW增加到0.9mW，从2.3mW增加到2.9mW。GaN TJ与它的参考之间的光功率略有改善是由于半透明的Ni / Au电极得到了抑制，因此TJ基LED具有更好的透明度。
就AlGaN QW LED的光学性能而言，TJ结构在注入1000A / cm2时提高了输出功率，带IL的TJ为12μW，不带IL的TJ为5.3μW，而参考器件为1.9μW。由于AlN缓冲层中的高位错密度（> 1010 / cm2），这些值与当前的现有技术相比较低，这降低了AlGaN / AlGaN QW的内部量子效率（IQE）。
研究人员认为，输出功率的提高源自使用TJ促进的电注入效率的提高。当TJ从平衡空穴注入LED时，量子阱中电子与空穴之间的平衡得到改善，从而提高了注入效率。换句话说，尽管由于缺乏空穴并在p区重新结合，电子倾向于在标准UV LED的QW上方溢出，但在基于TJ的UV LED中，电子从TJ注入的空穴在量子阱中重新结合。
