美国能源部艾姆斯实验室的科学家们发现了一种控制三维拓扑绝缘体表面电导率的方法。
三维拓扑绝缘体是一种新兴的材料，由于表面具有独特的导电状态，不会产生后向散射，内部大部分是正常的绝缘体，因而在自旋电子器件和量子计算中具有广阔的应用前景。但是，如何在加强和有选择地控制其表面的高频传输时，不增加块体材料的散射，这仍然是一个挑战。
通过利用超短的中红外和太赫兹脉冲（不超过一万亿分之一秒），艾姆斯实验室的研究人员能够成功地分离和控制铋硒（Bi2Se3）3D绝缘体的表面特性。该方法实质上提供了一种新的“调谐旋钮”，用于控制这类材料中的表面电导率。
研究人员认为这项研究可以发展为一种表达和操作这些材料的标准方法，并且有望改造它们以适应新的量子技术的应用。
