《GaN Systems在中国PEAC电力电子会议上推出新产品》

  • 来源专题:集成电路制造与应用
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2018-11-09
  • 在IEEE国际电力电子与应用大会暨博览会上,来自加拿大的GaN Systems公司宣布和展示了他们的新产品和设计工具,并进行了演示。如下:

    一. GS-065低电流(4-11A)系列与EZDrive电路相结合,无需分立或集成驱动器,易操作并降低系统成本。这种低于1kW功率设计适用于电视电源,LED照明和无线电源系统等应用。

    二 .50W无线功率放大器扩展了该公司无线功率传输方面的一系列应用,包括100W功率放大器和300W功率放大器。

    三. GaN Systems的电路仿真工具将提供两种PLECS仿真模型可以用于三相牵引逆变器和单相T型三电平逆变器设计。该平台方便参数的调整以适应其设计目标。

    战略营销副总裁Paul Wiener说:“无论是创造高频无线产品还是建立最大化电力输出系统,我们都会继续倾听客户的意见,提供行业领先的解决方案。”

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    • 编译者:Lightfeng
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    • 美国Teledyne e2v HiRel公司在GaN Systems I公司技术的基础上,正在推出一种650V / 60A氮化镓功率高电子迁移率晶体管(HEMT),即TDG650E60 GaN HEMT。 新型TDG650E60 GaN功率HEMT被认为是市场上用于高功率军事和太空应用的最高电压GaN功率器件,现已提供顶侧冷却或底侧冷却功能选项。TDG650E60 GaN HEMT的发布最终提供了航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度。该公司会进行高可靠性应用程序的认证和测试,包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、175°C的环境中的阶跃应力、9V的栅极电压以及全温度测试。 TDG650E60 GaN功率HEMT的外形尺寸非常小,并且利用了GaN Systems专有的Island技术,该技术是一种可扩展的垂直电荷消散系统,可为功率晶体管提供超低热损耗,高功率密度,无电荷存储和高开关速度。基于GaN的TDG650E60可以轻松地并行实现增加负载电流或降低有效导通电阻(RDSon)。独家的GaNpx封装可实现非常高的频率开关和出色的热特性,从而可大大减少功率电子器件的尺寸和重量。 Teledyne e2v HiRel业务开发副总裁Mont Taylor说:“ Teledyne e2v在太空产品领域拥有悠久的传统,我们现在正在将GaN功率效率提升到前所未有的高度,为客户带来良好的体验。这些设备使设计工程师能够创建高效的小型电源和电机控制器,从而可以在高辐射环境中工作。”