摘要采用气溶胶辅助催化化学气相沉积(CCVD)方法，将多壁碳纳米管(MWCNTs)阵列垂直生长在二氧化硅/硅衬底表面。将甲苯(碳源)中二茂铁(催化剂源)溶液注入水平CVD反应器的热区，制得气溶胶。测定了MWCNT阵列的高度和密度与合成温度和二茂铁浓度的关系。利用所得到的最优参数对铜基板上的MWCNT生长进行了研究。为此，我们在铜箔表面覆盖了氧化铝层，并指出该层厚度不应小于17nm，以提供整个箔表面的MWCNT生长。垂直排列的MWCNT阵列与铜基板紧密结合，可作为各种微纳米传热器件的换热面。
