背景：该行业正在开发极紫外波长（EUV）技术，用于测量逻辑制造中的关键尺寸（CD）。随着新兴方法的出现，与参考测量技术进行对比评估对于推动使用工业相关长度尺度的高速开发至关重要。
目的：将使用桌面相干高谐波产生（HHG）源从EUV衍射测量数据确定的参数化几何形状，与基于同步辐射的关键尺寸小角X射线散射（CD-SAXS）测量的尺寸进行比较，参照的对象为四个线间距阵列，其关键尺寸（CD）均小于50纳米。
方法：采用EUV成像反射仪捕获作为掠射角函数的0阶反射和1阶衍射强度。1阶强度是该HHG源光谱梳中五个波长的函数。使用严格的耦合波分析（RCWA）电磁模拟对这些数据进行拟合，得出参数值和不确定性。
结果：在考虑了横截面几何形状和实验条件后，EUV衍射测量模拟与测量数据总体吻合良好。EUV 衍射仪测量的线宽与 CD-SAXS 的线宽在后者中点高度处的线宽相关性良好。
结论：这些令人鼓舞的结果是使用通用原型相干EUV反射仪获得的。基于该项目的成果进一步提高灵敏度和准确性的方案已经确定，并且研发工作正在推进中。
该研究的详情已发表在《SPIE》相关期刊中。（DOI：10.1117/12.3050342）
