ASML高管早期曾说即使给中国图纸，中国也生产不出光刻机，然而近期却指责中国自研光刻机打乱全球芯片市场，导致如此变化，随着近期中国连续公布的几项关键技术进展，能解释这一切。
先是哈工大研发成功高速超精密激光干涉仪技术，这为国产光刻机解决了整体整合问题，确保了光刻机在整合过程中的系统稳定性和精度问题，这个问题据悉有助于中国加快28纳米光刻机的量产，当然对于后续的EUV光刻机量产也具有重要意义。
其后是中国科学院公布一项专利，名为一种高功率波长可调的极紫外光源装置和产生办法，这就是EUV光刻机的重要光源技术了，意味着中国在浸润式光刻机之后，开始向EUV光刻机推进，显示出中国不仅在推进28纳米至7纳米的浸润式光刻机，已开始准备EUV光刻机了。
更让海外业界震惊的则是EUV光源，4月份中国科学院前院长白春礼访问长春光机所，据称是考察EUV光源工程化样机，这凸显出中国在EUV光刻机技术上取得了突破性的进展，海外以为中国需要十多年时间才能搞定EUV光刻机，如今这些技术的突破意味着中国研发先进光刻机的步伐远超他们的预期。
中国的光刻机产业链推进如此迅速，在于中国对于基础研究的重视，从许多年前中国就已深刻认识到建立自己的工业体系的重要性，而在光刻机方面其实也有一定的基础，在1970年代中国就已开始研发光刻机，1990年代中国已研发出0.8微米的全自动步进式光刻机，可以看出那时候中国已有光刻机研发基础，如今重拾光刻机研发，短短数年时间取得如此进展就不奇怪了。
2018年中国一家芯片企业就向ASML支付1.2亿美元订购EUV光刻机，随后却因为美国的阻挠至今未能向中国交付；2022年下半年美国更要求ASML不要对中国出售14纳米以下的DUV光刻机，ASML照做了。
ASML近期表示它可以对中国出售的最先进光刻机的38纳米的1980Di，ASML如此信心满满，在于它以为中国最先进的光刻机也不过是90纳米的光刻机，28纳米等更先进的光刻机还需要时间，因此即使它出售1980Di也能从中国获取丰厚的收入。
然而中国多家机构公布的上述多项先进光刻机技术，却说明中国芯片行业的进展远超出它的预期，由此也就不奇怪ASML高管突然转变态度，从之前不屑于中国的光刻机技术研发，到担忧中国在光刻机技术研发方面的进展了。
此外让ASML焦虑的另一个原因是全球芯片市场的衰退，从2022年下半年以来，全球芯片行业都出现衰退，也这导致诸多芯片制造企业放缓设备采购，乃至停止采购，它的三大客户台积电从去年四季度开始就陆续关停部分EUV光刻机，三星今年初传出减产消息，Intel则放缓了Intel 4工厂的量产进程，海外芯片业界放缓采购光刻机等设备，让ASML更加看重中国这个保持扩张的市场。
对于中国芯片行业的发展，美国富豪比尔盖茨就多次强调美国的做法无法阻挡中国研发先进的芯片，而这几年中国芯片行业的进展也证明了这一点，对于光刻机的进展更是让海外业界惊讶，因为ASML的EUV光刻机可是需要全球数十个国家的5000家企业协转，然而中国却能迅速推进，如此由不得ASML不担忧。
