自然于2020年12月08日发布关于纳米线的相关内容，文章指出在过去的十年中，人们对使用氧化镓作为半导体用于大功率/高温器件和深紫外光传感器的兴趣有所增加。Ga2O3具有4.8 eV的巨大带隙，这使得它非常适合这些应用。与薄膜相比，纳米线表现出更高的表面-体积比，提高了它们对化学物质和光的探测灵敏度。在这项工作中，我们探索了一种在高温下生长高密度氧化镓纳米线的简单而廉价的方法。氧化镓纳米线的生长可以通过高温(~ 1000℃)加热和氧化纯镓来实现，在痕量氧气的存在下。这一过程可以优化到大规模生产，以生产高质量、密集和长Ga2O3纳米线。我们展示了晶圆-Ga2O3纳米线的形态、结构、电学和光学表征结果，包括光带隙和光电导。我们将研究密度对这些Ga2O3纳米线及其性能的影响，以确定用于紫外光探测的最佳配置。
