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《前沿 | 超高Q值芯片谐振器-中红外布里渊激光器》

  • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者： 胡思思
  • 发布时间：2025-03-28

  • 超高品质因子Q光学谐振器，通过利用非线性功能，促进了片上光子学的进步。虽然这些突破主要集中在近红外区域，目前已经研究热点扩展到更长波长的分子科学领域，但在该区域缺少超高Q谐振器，仍然是重大挑战之一。

    近日，韩国科学技术院（Korea Advanced Institute of Science and Technology）Kiyoung Ko,

    Daewon Suk， Duk-Yong Choi & Hansuek Lee等，在Nature

    Communications上发文，开发了片上微谐振器，在3.86μm波长时，具有3800万Q因子，超过之前记录的30多倍。

    采用创新的制造技术，包括在材料沉积过程中，自发形成具有内部多层结构的光导几何结构，研究并解决了主要的损耗因素，如空气化学吸收。还获得硫族化物玻璃光纤所表现出的基本损耗性能。利用该谐振腔，在芯片上，实现了中红外布里渊激光，阈值功率为91.9μW，线宽为83.5Hz。这一结果表明，腔增强光学非线性有效集成到片上中红外光子学。

    图1:超高Q值的片上微谐振器及其中红外应用示例

    图2:多层硫族化物玻璃谐振器的制造

    图3:Q因子谱和测量装置

    图4: 在芯片上，不同材料平台的光学损耗比较

  • 原文来源：https://www.nature.com/articles/s41467-025-58010-2
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    • 编译者：husisi
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    • 编译者：husisi
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