在美国的IEDM 2018上,法国的微纳米技术研发中心CEA-Leti宣布其扩展了300mm硅基晶圆生产线,并为其合作伙伴开辟了新的研发途径。该扩展将允许新的技术模块插入或与工业流程兼容,可在存储器、光子学、电力电子设备和其他高端应用中实现边缘AI(人工智能)和高性能计算(HPC)。
相关应用包括:
存储器:PCRAM,基于氧化物的电阻存储器(OxRAM)和CBRAM
光子学:硅上III-V,集成光子学
电力电子:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
HPC和边缘AI:FD-SOI和衍生物
3D晶圆-晶圆或芯片-晶圆键合,混合键合:与Soitec合作的基板和层传输,用于高级基板。
CEA-Leti首席执行官EmmanuelSabonnadière说:“CEA-Leti的工业合作伙伴现在能够利用先进的设备开发或测试我们的技术及设计,同时受益于研究所的研发专业知识,以实现更高的组件性能。”