《APPL. PHYS. LETT. | 用于Yb+离子光钟的871 nm单频光纤激光器》

  • 来源专题:精密测量科技动态监测平台
  • 编译者: marcus2017
  • 发布时间:2024-07-29
  • 量子信息科学的发展增加了低噪声、窄线宽单频激光器的市场需求。单频激光器在光学原子钟、引力波探测、量子计算和量子计量学等领域有着很多应用。光学原子钟使用可见光或者紫外光作为探测光,能够达到10-18量级的精度。其中171Yb+离子体系有着两个钟跃迁(E2和E3),而且其E3跃迁对场诱导频移具有很低的敏感度。E2和E3跃迁分别对应的433.5 nm和467 nm蓝光通常是利用波长处在871 nm和934 nm的掺Nd晶体激光器和外腔半导体激光器进行倍频得到的。相对于晶体激光器和外腔半导体激光器,光纤激光器有着优异的光斑质量、高功率扩展性和优异的热耗散能力,不需要准直和日常维护等优点。

    2024年5月23日,美国亚利桑那大学Nasser Peyghambarian教授课题组在《应用物理快报》上发表了题为“871 nm single-frequency fiber laser for Yb+ ion optical clock”的文章。作者报道了其基于高度掺Nd磷酸盐光纤的871 nm单频分散式布拉格反射(DBR)光纤激光器。相比于硅基玻璃,掺Nd磷酸盐玻璃有着更大溶解度使得浓度淬灭效应更小。同时掺Nd磷酸盐玻璃的发射带相对于掺Nd硅基玻璃蓝移,更适合于获得900 nm以下的激光。本研究中,作者使用1wt.%掺Nd磷酸盐光纤制备了871 nm的单频DBR激光器。激光腔的总损耗为0.52 dB,主要是由于高反(HR)光纤布拉尔光栅(FBG)和低反(LR)FBG。磷酸盐光纤采用传统套管法制备,数值孔径为0.14,传播损耗为2.2 dB/m@1310 nm。两个线性极化的808 nm单模激光二极管组合为泵浦源。作者获得871 nm单频DBR光纤激光器,谱分析仪测量显示信噪比大于60 dB。该激光器阈值功率208 mW,在413 nm泵浦功率下最大输出功率为6.7 mW。相比于880 nm DBR,871 nm DBR有着更高的阈值和更低的输出功率,主要是由于871 nm波长非常接近于掺Nd磷酸盐的零光子线,以及LR-FBG的反射率不是在871 nm波段优化。388 mW泵浦功率时,871 nm激光器1.5 h实验室环境下测量得到的输出功率波动小于0.4%。该激光器输出激光消光比大于29 dB。法布里-珀罗干涉仪测量也证明了该激光器的单模特性,但是在高泵浦功率下偶尔会出现跳模现象。作者的实验结果证明了871 nm单模光纤激光器的设计方案,为进一步提高功率效率,设计紧凑鲁棒性激光器打下了基础。

  • 原文来源:https://doi.org/10.1063/5.0211292
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    • 编译者:husisi
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    • 近日,来自洛桑联邦理工学院(EPFL)的研究人员开发了一种芯片集成的掺铒波导激光器,这一新型激光器的性能接近光纤激光器的性能,结合了可调谐性和芯片级光子集成的实用性。 众所周知,光纤激光器使用掺杂稀土元素的光纤作为增益介质。因此与二氧化碳等气体激光器相比具备了高光束质量、高功率、高效率、尺寸小以及光纤输出与柔性加工平台的无缝融合等优势。 而为了满足对芯片级光纤激光器的需求,研究人员转向铒作为增益介质。铒基光纤激光器满足保持高相干性和稳定性的要求而特别有前景。但长期以来,由于难以保持其特有的高性能,铒基光纤激光器小型化一直难以实现。 为此,研究人员首先基于超低损耗氮化硅光子集成电路构建了一米长的片上光腔。洛桑联邦理工学院光子学和量子测量实验室的研究员Yang Liu认为:尽管芯片尺寸紧凑,但我们能够将激光腔设计为米级长度,这要归功于这些微环谐振器的集成,这些谐振器有效地扩展了光路,而无需物理放大器件。 重大突破!芯片大小的激光器或将取代光纤激光器? 然后,该团队在电路中植入了高浓度的铒离子,以选择性地产生激光所需的有源增益介质。最后,他们将电路与III-V族半导体泵浦激光器集成在一起,以激发铒离子,使它们能够发光并产生激光束。 为了改进激光器的性能并实现精确的波长控制,研究人员设计了一种创新的腔内设计,其特点是基于微环的游标滤光片,这是一种可以选择特定频率光的滤光片,以提高激光器的性能并实现精确的波长控制。 该滤光片允许在C波段和L波段内对40 nm的激光波长进行动态调谐,这在调谐和低光谱杂散指标方面都超过了传统的光纤激光器,同时保持与当前半导体制造工艺的兼容性。该设计支持稳定的单模激光,固有线宽为50Hz。 芯片级铒基光纤激光器的输出功率超过10 mW,侧模抑制比大于70 dB,性能优于许多传统激光器。其窄线宽使其能够发出纯净而稳定的光,非常适合传感、陀螺仪、激光雷达和光学频率计量等相干应用。 将铒光纤激光器缩小并整合到芯片级设备中可以使其变得更加经济实惠,为消费电子、医疗诊断和电信领域高度集成的移动系统开辟新的应用。它还可以缩小其他几个应用中的光学技术,包括激光雷达、微波光子学、光频率合成和自由空间通信。
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    • 编译者:Lightfeng
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    • 中国香港科技大学(HKUST)宣称制造了首个硅基连续波(CW)C波段(?1580nm波长)QDash激光二极管,其阈值电流密度低至1.55kA / cm2。该团队还建议QDash格式可用于半导体光放大器、调制器和光电探测器。除了高速大容量数据传输外,此类器件还可以用于光检测和测距(LiDAR)组件。 将硅基板在氢气中进行800℃的退火。第一缓冲层是1μm的砷化镓(GaAs),作为平面硅和InP晶格之间的中间层。通过在330°C至780°C之间进行五阶段热退火循环,可降低此缓冲区中的缺陷密度,并将x射线衍射(XRD)摇摆曲线半最大宽度(FWHM)从580弧秒减小到380弧秒。在10μmx10μm场的原子力显微镜分析中,平面Si(GoPS)上GaAs的均方根(RMS)表面粗糙度为1.1nm。 3.1μmInP缓冲液也分三步生长:445°C、555°C和630°C。在最高温度下生长InP,超晶格之间的InP间隔层厚度为250nm。2.8nm RMS的表面粗糙度略大于GaAs表面。表面的透射电子显微镜(TEM)分析给出了3.6x108 / cm2的缺陷密度的估计值,标准偏差为0.4x108 / cm2。 在此材料上生长了各种QDash结构。QDashs本身是从应变InGaAs上的InAs层组装而成的。使用InGaAs和/或InAlGaAs封盖工艺在低温和高温步骤中生长了一系列“井中”(DWELL)QDash层。QDash DWELL被夹在单独的限制异质结构之间,即InP模板晶格匹配的InAlGaAs覆层。 为了确定包层的最佳光学限制,改变折射率对比和层厚度,研究人员制作了三个不同的样品。发现QDashs沿[1-10]方向拉长,点密度为3.5×1010 / cm2。使用了InGaAs帽的样品B光致发光强度最高,从而减小了阱与QDash之间的能隙。 相对于样品C,样品B中InAlGaAs势垒的较低铝含量也降低了带隙并增加了折射率。这应导致改善的光学限制,但是减小的带隙可能会降低DWELL层中载流子限制的风险。 对于电泵浦激光器,生长顺序为600nm n-InP触点、630nm n-InP包层、三层QDash有源区、1500nm p-InP包层和140nm p-InGaAs触点。 三种类型的QDash结构用于脊形波导激光二极管中,第一台面终止于有源区上方,第二台面终止于n-InP接触层。在切割成激光棒之前,将样品减薄至100μm。刻面未涂覆。所有器件的脉冲测试中的开启电压约为0.7V。样品A的激光二极管在连续波(CW)工作时不会发光。同样,样品B在低阈值电流方面以及在最高温度90°C下的操作表现最佳。在脉冲条件下,样品B激光二极管的特征温度(T0)反映阈值变化较高。 激光二极管结构的变化(脊向下一步形成到n-InP触点)使得在8μmx1.5mm器件的CW操作中,可以将阈值电流密度降低到1.55kA / cm2。单面输出功率高达14mW。由于腔体尺寸较大,发射光谱由多个集中在1580nm处的峰组成,支持多种Fabry-Perot模式。