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GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model
PISBN：
9780323998710
出版社：
Woodhead Publishing
出版类型：
专著
出版时间：
2024
版次：
1
作者：
Yogesh Chauhan
主题词：
GaN,Gallium Nitride,Power Amplifier,semiconductor,transistor,power semiconductor,RF Circuit Design,RF Switch,Source-Pull,Load-Pull,Harmonics,Circuit simulation,parameter extraction,power switch,physics-based compact model,compact model,process design kit
学科：
TB3 工程材料学
语种：
英语
所属数据库：
Elsevier电子图书
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