登录
机构网站
切换导航
首页
到馆服务
学科服务
研究支持
情报产品
数据资源
科学传播
关于我们
首页
电子图书
图书详情
Tunneling Field Effect Transistor Technology
EISBN：
9783319316536
PISBN：
9783319316512
出版社：
Springer International Publishing
出版类型：
Monograph
出版时间：
2016
版次：
1st ed. 2016
作者：
Lining Zhang,Mansun Chan
主题词：
Circuits and Systems,Electronic Circuits and Devices,Electronics and Microelectronics,Instrumentation
语种：
英语
所属数据库：
SpringerLink电子图书
1浏览量
问图书管理员
馆际互借
查看订购单位
点赞
收藏
原文链接
分享
相关推荐
Low-Complexity Arithmetic Circuit Design in Carbon Nanotube Field Effect Transistor Technology
作者：
K. Sridharan,B. Srinivasu,Vikramkumar Pudi
EISBN：
9783030506995
出版社：
Springer International Publishing
出版时间：
2020
Field-Effect and Bipolar Power Transistor Physics
作者：
Blicher,Adolph
PISBN：
9780121058500
出版时间：
Legacy
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
作者：
Byung-Eun Park,Hiroshi Ishiwara,Masanori Okuyama,Shigeki Sakai,Sung-Min Yoon
EISBN：
9789402408416
出版社：
Springer Netherlands
出版时间：
2016
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
作者：
Byung-Eun Park,Hiroshi Ishiwara,Masanori Okuyama,Shigeki Sakai,Sung-Min Yoon
EISBN：
9789811512124
出版社：
Springer Singapore
出版时间：
2020
Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
作者：
Iraj Sadegh Amiri,Mahdiar Ghadiry
EISBN：
9789811065507
出版社：
Springer Singapore
出版时间：
2018
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
作者：
Supriya Karmakar
EISBN：
9788132216353
出版社：
Springer India
出版时间：
2014
×
订购单位
×
电子书下载
将全部文件下载下来，放在一个目录中，右键点击后缀名为.zip的文件，用 winrar 、360压缩等压缩软件解压，就都能解压出来了。
问图书管理员
馆际互借
查看订购单位