我们课题组长期从事非线性光学晶体的新材料设计和探索。亚硒酸盐化合物在二阶非线性光学材料探索中有着重要的研究价值，因其含有活性孤对电子的Se⁴⁺，在外光电场作用下容易诱导出强极化，从而产生大的非线性光学效应。长期以来，增强亚硒酸盐材料的非线性光学效应主要是通过引入具有二阶姜-泰勒效应的d⁰过渡金属阳离子等手段来实现的。然而，这种方法虽然能够增强光学效应，但通常会显著地减小带隙，并伴随着较差的抗激光损伤性能。我们通过第一性原理计算深入系统研究了影响此类材料带隙的关键因素，提出利用异价取代调控能带结构的分子设计策略，通过移除过渡金属、引入主族元素和高电负性的氟元素，合成了一例亚硒酸盐非线性光学材料中具有最宽带隙、可相位匹配的新型材料Pb₂GaF₂(SeO₃)₂Cl。其带隙扩宽至4.32 eV，且抗激光损伤阈值是现有同构材料的三倍，提高至120 MW/cm²。此外，Pb₂GaF₂(SeO₃)₂Cl还表现出了较强的非线性光学响应，其倍频信号强度是同等粒径下KDP样品的4.5倍，在未来的高功率激光倍频领域有潜在的应用价值。工作发表后，被美国休斯敦大学、韩国西江大学、福建物构所、四川大学、新疆理化所等重要科研团队引用和关注，他们在实验上相继取得了重要进展，发现了CsSbF₂SO₄、Ag₄Hg(SeO₃)₂(SeO₄)、LiMg(IO₃)₃等性能优良的非线性光学晶体。