登录
机构网站
切换导航
首页
到馆服务
学科服务
研究支持
情报产品
数据资源
科学传播
关于我们
首页
馆藏纸本
图书详情
P型FinFET源漏区SiGe外延和应力的研究
出版年:
2015
作者:
郭奕栾
资源类型:
图书
细分类型:
学位论文
1浏览量
问图书管理员
馆际互借
点赞
收藏
访问借阅管理系统
分享
相关推荐
面向22nm及以下技术代CMOS器件SiGe源漏选择性外延技术研究
作者:
王桂磊
出版年:
2016
气源分子束外延生长SiGe/Si材料的性质及HBT器件应用
作者:
林燕霞
出版年:
2000
SiGe/Si材料气源分子束外延生长、性质及应用
作者:
刘金平
出版年:
1999
ZnO外延薄膜的p型掺杂及自补偿机理研究
作者:
刘尧平
出版年:
2011
D-UHV/CVD 外延生长SiGe和ArF准分子激光退火制备量子点的研究
作者:
曾玉刚
出版年:
2008
面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究
作者:
秦长亮
出版社:
中国科学院微电子研究所
出版年:
2019
×
访问借阅管理系统