登录
机构网站
切换导航
首页
到馆服务
学科服务
研究支持
情报产品
数据资源
科学传播
关于我们
首页
馆藏纸本
图书详情
宽禁带半导体氧化镓 :结构、制备与性能 :structure growth and physical properties
出版社:
西安电子科技大学出版社
ISBN:
9787560664446
出版年:
2022
作者:
陶绪堂
学科:
电技术、电子技术
资源类型:
图书
细分类型:
中文文献
1浏览量
问图书管理员
馆际互借
点赞
收藏
访问借阅管理系统
分享
相关推荐
一维宽禁带氧化物半导体及其紫外探测器的制备和研究
作者:
郑智遥
出版社:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出版年:
2023
宽禁带半导体材料ZnO/ZnS异质结的制备、结构与性能研究
作者:
王磊
出版年:
2017
基于超宽禁带氧化镓半导体材料的增强型场效应晶体管设计研制
作者:
周选择
出版社:
中国科学技术大学
出版年:
2023
Cu系宽禁带半导体的制备及表征
作者:
肖成
出版年:
2012
一维半导体氧化物纳米结构的制备及光催化性能研究
作者:
王长华
出版年:
2009
宽禁带半导体衬底材料及ZnO薄膜的制备研究
作者:
刘世良
出版年:
2006
×
访问借阅管理系统