登录
机构网站
切换导航
首页
到馆服务
学科服务
研究支持
情报产品
数据资源
科学传播
关于我们
首页
馆藏纸本
图书详情
基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱材料中光电特性的理论研究
出版年:
2006
作者:
魏相飞
资源类型:
图书
细分类型:
学位论文
1浏览量
问图书管理员
馆际互借
点赞
收藏
访问借阅管理系统
分享
相关推荐
窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究
作者:
李俊斌
出版年:
2016
InAs/GaSb第二类超晶格系统的红外光电特性研究
作者:
李龙龙
出版年:
2011
宽禁带半导体光电功能材料的理论研究
作者:
王丹丹
出版年:
2015
稀磁半导体量子点自旋特性的理论研究
作者:
李晓静
出版年:
2008
分子束外延生长的InAs/GaSb二类超晶格材料的电学性质研究
作者:
郭晓璐
出版年:
2013
InAs/GaSb量子阱能带结构及红外光电特性的研究
作者:
刘柱
出版年:
2012
×
访问借阅管理系统