登录
机构网站
切换导航
首页
到馆服务
学科服务
研究支持
情报产品
数据资源
科学传播
关于我们
首页
馆藏纸本
图书详情
Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜的铁电性及其对MOSFET亚阈值摆幅的影响
出版社:
中国科学技术大学
出版年:
2025
作者:
王宇晨
资源类型:
图书
细分类型:
学位论文
1浏览量
问图书管理员
馆际互借
点赞
收藏
访问借阅管理系统
分享
相关推荐
Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2外延薄膜结构及铁电性的调控研究
作者:
刘楷
出版社:
中国科学技术大学
出版年:
2024
Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的铁电性能及其电极材料影响的研究
作者:
韩红静
出版年:
2016
基于铁酸铋薄膜的MOSFET亚阈值摆幅调控及铁电场效应
作者:
刘川川
出版社:
中国科学技术大学
出版年:
2021
多循环叠层Hf_0.5Zr_0.5O_2铁电器件性能研究
作者:
陈美文
出版社:
中国科学院微电子研究所
出版年:
2023
基于TiN/Hf_0.5Zr_0.5O_2/TiN结构的铁电器件的性能优化
作者:
党治伟
出版社:
中国科学院微电子研究所
出版年:
2022
Sm_0.5Nd_0.5NiO_3和NdNiO_3薄膜金属绝缘转变特性的研究
作者:
连小康
出版年:
2012
×
访问借阅管理系统