全耗尽应变SOI FinFET晶体管的制备与研究

出版社:中国科学院微电子研究所
出版年:2023
作者:李梦凡
资源类型:图书
细分类型:中文文献
相关推荐

130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究

  • 作者:席善学
  • 出版社:中国科学院新疆理化技术研究所
  • 出版年:2019

部分耗尽SOI器件研究

  • 作者:毕津顺
  • 出版年:2008

有机场效应晶体管的制备与性能研究

  • 作者:张敬
  • 出版年:2013