登录
机构网站
切换导航
首页
到馆服务
学科服务
研究支持
情报产品
数据资源
科学传播
关于我们
首页
馆藏纸本
图书详情
基于新型高κ介质及高迁移率沟道材料的电荷俘获型存储器研究
出版社:
中国科学院微电子研究所
出版年:
2019
作者:
侯朝昭
资源类型:
图书
细分类型:
中文文献
1浏览量
问图书管理员
馆际互借
点赞
收藏
访问借阅管理系统
分享
相关推荐
基于高K材料的电荷俘获存储器件结构研究
作者:
郑志威
出版年:
2011
三维电荷俘获型存储器高压技术的研究
作者:
付丽银
出版年:
2016
基于TCAD的三维电荷俘获存储器研究
作者:
李新开
出版年:
2015
Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
作者:
孔祥挺
出版年:
2017
高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
作者:
常虎东
出版年:
2013
基于变温KFM技术的电荷俘获存储器可靠性研究
作者:
韩宇龙
出版年:
2014
×
访问借阅管理系统