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期刊名称: MRS Bulletin
Volume:21    Issue:4        Page:31-37
ISSN:0883-7694

Kinetic pathways to strain relaxation in the Si-Ge system期刊论文

作者: Jesson D.E Chen K.M Pennycook S.J
DOI:10.1557/S0883769400035314

服务链接:
页码: 31-37
被引频次: 111
出版者: MATERIALS RESEARCH SOCIETY
期刊名称: MRS Bulletin
ISSN: 0883-7694
卷期: Volume:21    Issue:4
语言: English
相关主题: SURFACE CUSP, EPITAXY, PHYSICS, APPLIED, MONOLAYER COVERAGE, EVOLUTION, MORPHOLOGICAL INSTABILITY, GROWTH, MATERIALS SCIENCE, INAS ISLANDS, GAAS, DISLOCATION NUCLEATION, QUANTUM DOTS,

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